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电子元器件详细资料 » IC[20343] » HBDM60V600W-7
型号:HBDM60V600W-7类别:晶体管(BJT) - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS ARRAY NPN/PNP DUAL SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列
描述TRANS ARRAY NPN/PNP DUAL SOT-363
系列-
制造商Diodes Inc
晶体管类型NPN,PNP
电流_集电极(Ic)111最大222500mA,600mA
电压_集电极发射极击穿111最大22265V,60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA
电流_集电极截止111最大222100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V
功率_最大200mW
频率_转换100MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

上海鑫丰电子技术有限公司陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市科雨电子有限公司周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8171-4755-1968(微信同号)
深圳市煌盛达科技有限公司黄086-0755-89367839
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HBDM60V600W-7相关型号

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